Основным полупроводниковым материалом для ДГ в настоящее время является GaAs n-типа. Обычно при рассмотрении физических процессов в ДГ сложную структуру зоны проводимости представляют двухдолинной моделью, содержащей основную долину (центральная долина) и одну эквивалентную боковую. Разность между нижними энергетическими уровнями этих долин Wд (энергетический зазор) в зоне проводимости GaAs n-типа составляет 0,36 эВ. В основной долине электроны обладают высокой подвижностью = 6000...8500 см2/(Вс), а в боковой долине – малой подвижностью = 100...150 см2/(Вс). Под подвижностью понимается коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью электрона и напряженностью элек-трического поля E: = / E.
Опубликовал Kest
January 27 2011 21:06:33 ·
0 Комментариев ·
3442 Прочтений ·
Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.
Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.
Нет данных для оценки.
Гость
Вы не зарегистрированны? Нажмите здесь для регистрации.
