Накопление неосновных носителей заряда в базе диода и экс-тракция их при смене полярности напряжения на переходе эквива-лентно появлению диффузионной емкости перехода, которая значи-тельно больше Сб. В ДНЗ толщина базы небольшая, порядка микрометра, концентрация примеси в ней низкая, в пределах 1014 – 1015 см-3, так что эффект смыкания достигается почти при нулевых на-пряжениях на диоде. Вольт-фарадная характеристика ДНЗ показана на рис. 2,в.
Опубликовал Kest
January 27 2011 21:01:26 ·
0 Комментариев ·
4055 Прочтений ·
Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.
Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.
Нет данных для оценки.
Гость
Вы не зарегистрированны? Нажмите здесь для регистрации.
