2.1.3. Ф о т о п л а с т и ч е с к и й э ф ф е к т .
Естественно ожидать изменение пластических свойств и при других воздействиях на электронную структуру образца. Например, воздействие светового излучения на кристалы полупроводника вызывает в них перераспределение электрических зарядов. Не будет ли свет влиять на пластические свойства полупроводников? Советские ученые Осиньян и Савченко на этот вопрос отвечают утвердительно. Их открытие зарегистрировано под номером 93 в такой формулировке:
"Установлено ранее неизвестное явление,заключающееся в изменении сопротивления пластической деформации кристаллов полупроводников под действием света, причем максимальное изменение происходит при длинных волн, соответствующих краю собственного поглащения кристаллов".
В их опытах образцы полупроводников сжимались и растягивались до наступления пластической деформации. Затем образец освещался светом. Вызванное им перераспределение носителей заряда оказывало тормозящее действие на дислокации носителей пластической деформации и тотчас прочность образца увеличивалась почти вдвое. Стоило выключить свет, как прочность уменьшалась и вскоре достигала своего первоначального значения.
Дальнейшие исследования привели к наблюдению еще одного интересного явления - и н ф р а к р а с н о г о гашения фотопластического эффекта.
Эффект фотопластичности предполагается использовать для
разработки нового типа элементов автоматики, новой тех
нологии полупроводнико,для создания качественно новых
приемников видимого светового и инфракрасного излуче
ния.
Опубликовал Kest
October 07 2009 15:08:37 ·
0 Комментариев ·
5169 Прочтений ·
Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.
Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.
Нет данных для оценки.
Гость
Вы не зарегистрированны? Нажмите здесь для регистрации.
