Эквивалентная схема УД приведена на рис. 1. В общей схеме (см. рис. 1,а) – полная емкость, включающая барьерную и диффузионную емкости, q – активная проводимость n-p-перехода, Rs – сопротивление объема полупровод-ника и контактов. Если УД работает в нормальном режиме, реактивная проводимость перехода значительно превышает активную q и схема диода упрощается (см. рис. 1,б). Вольт-фарадная характеристика УД в данном режиме приведена на рис. 2,а.
Опубликовал Kest
January 27 2011 20:59:31 ·
0 Комментариев ·
3445 Прочтений ·
Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.
Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.
Нет данных для оценки.
Гость
Вы не зарегистрированны? Нажмите здесь для регистрации.
